第235章 参观生产线（下）（1/5）

“当芯片加工制程进入到n的时候，如果只是单纯的缩小晶体管尺寸，漏电量会大到难以承受。所以我推断，在n工艺节点上，必须设计一种全新的晶体管结构，以降低量子隧穿效应，减少漏电。而现在主流的da软件中，均没有引入这一设计，想要短期内设计出n芯片，基本没有可能。”胡总也说出了他的推断，这一点和现实情况基本相符。

为了解决n以下晶体管漏电问题，全球各家顶尖芯片研发实验室、晶圆代工厂，提出了多种不同的解决方案，其中比较经典的是finft（finfild-ffcttransistor），中文名称为鳍式场效应晶体管。使用这种全新的架构可以有效的降低晶体管电极之间的漏电现象，将芯片制程推进到n，甚至n的程度。当然这些都是十年后的研发进展，在年的当下，finft还只是一种理论猜想，即使个别团队做出了这种结构的晶体管，也仅限于实验室，并没有应用到实际的芯片生产上。

“不知道你们有没有听说过finft工艺，它可以极大的增加单位尺寸的晶体管密度，并有效降低晶体管漏电。这条芯片生产线上现在正在生产的内存芯片，就是基于finft技术设计的，生产出来的内存颗粒，发热量极小，超频性能极其优秀。”乔瑞达从兜里拿出一枚指甲盖大小的内存颗粒，展示给现场的众人。

胡总从乔瑞达手中接过内存颗粒，饶有兴趣的观看着，“glpddr，如此小的一颗内存颗粒，竟然有g大小，n制程工艺真是利害。这个finft我听说过，国外有个别芯片实验室，已经在晶圆上加工出了这种鳍式场效应晶体管，参数确实非常的优秀，可以在一定程度解决晶体管漏电问题。只是我还未听说过，任何一家晶圆厂，将finft技术应用在芯片的实际生产中，你们是如何做到的。”